sic mosfet原理
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SiC-MOSFET的特徵
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SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關損耗的 ...
SiC
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SiC功率元件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率電晶體的比較，進一步加深 ...
什么叫SiC功率器件？SiC
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SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少 ...
何謂SiC
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另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個電晶體並聯組成了1個開關，但由於第三代（3G）SiC-MOSFET導通電阻更低，電晶體數得以從8個減少到4個。關於效率， ...
如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
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我們定義了CoolSiC™ MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的升高而下降，如圖1右側所示。
從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
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首先要清楚瞭解相關技術和術語：採用SiC架構的FET是MOSFET，就像之前的矽晶片一樣。從廣義上講，其內部物理結構相似，二者均為三端元件，具有源極、汲極和閘極連接。
從原理到實例：詳解SiC MOSFET將如何提高電源轉換效率
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本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析了SiC MOSFET與傳統的Si MOSFET相比在效率和散熱能力方面的性能優勢，並說明了利用SiC MOSFET， ...